| 型号： | FDMC8200 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| FDMC8200 PDF |  |
| 产品目录绘图 | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 特色产品 | FDMC8200 Dual MOSFET for Synchronous Buck Designs |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | PowerTrench® |
| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8A，12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 20 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 660pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 700mW，900mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装 | 8-Power33（3x3） |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | FDMC8200DKR |